传统内存市场分化背景下的DDR4降级逻辑

我们观察到传统内存领域存在一个显著且可能被忽视的分化。虽然我们近期对DDR4的降级引发了投资者的质疑，但我们坚持认为，由于供应加速增加和需求疲软，DDR4的基本面即将恶化，这与结构性紧张的旧款NAND形成鲜明对比。市场似乎混淆了传统与主流内存的动态，或误判了DDR4的供应反应时机。因此，我们将首选股调整为传统NAND短缺的主要受益者旺宏，同时对华邦电和南亚科等DDR4权重股转为更加谨慎。

市场对DDR4在更广内存领域内动态的误读

投资者错误地将我们对DDR4的降级解读为对主流内存市场的负面信号。这是一个关键的定价错误。我们的观点特指传统DDR4市场，其与主流DRAM相比，运行于更小的产能基础之上，且供需驱动因素不同。我们对主流DRAM仍持建设性看法，由于代理AI工作负载需要更密集的数据处理，其供应持续紧张。AI支出已达峰值，而主流内存是关键的限制因素。高带宽内存和主流DDR5的强劲势头并未延伸至传统DDR4，后者缺乏直接的AI敞口。

供应加速和AI需求缺失推动DDR4降级

我们的降级基于DDR4供需的明确转折点。供应方面，价格上涨促使了激进的产能扩张。华邦电计划在2026年实现DRAM位元出货量翻倍，南亚科将在2027年下半年启用新产能，而长鑫存储也计划在2027年将其DDR4产能提升一倍以上。我们还认为力积电将为DDR4授权先进的1y/1z制程，并从2027年上半年开始放量。这些举措与主流DRAM持续的供应纪律和瓶颈形成对比。需求方面，高昂的DDR4价格削弱了智能手机和PC的消费需求，其产品周期并未受益于AI驱动的内存消耗增长。

传统NAND的结构性短缺带来更优机会

在我们降级DDR4的同时，我们看到传统NAND，特别是MLC，存在一个更具吸引力的结构性机会。该细分领域面临更深的供应短缺，预计2026年下半年的潜在供应缺口可能达到约40%，而DDR4的短缺局面更具暂时性。全球主要供应商持续减少传统NAND供应，而由于其更强的耐用性以及在工业/企业应用中对价格敏感性较低，需求保持韧性。我们预测从2026年第一季度到第四季度，MLC和传统TLC NAND的价格将上涨超过200%。这种独特的动态使得传统NAND成为2026年老内存领域的明确赢家。

时机选择：涨价势头放缓，预示动能见顶

当前降级的决定是由价格动能和库存行为驱动的。截至2026年2月，DDR4 8Gb合约价格同比上涨了752%。随着涨势持续到3月，小型客户开始抵制，供应商也表现出出售库存的意愿，这表明近期上行空间有限。我们的模型预测，关键供应商的环比价格涨幅将在2026年急剧减速：我们预测华邦电在2026年四个季度的DRAM价格环比涨幅分别为50%/50%/30%/10%。这种同比增速在下半年放缓的趋势，是转为谨慎的关键信号。

投资影响与仓位配置

投资启示在于在传统内存板块内部进行仓位轮动。看好受益于传统NAND短缺的标的，特别是我们新的首选股旺宏。对DDR4敞口较大的股票，如华邦电和南亚科，应保持谨慎，其扩张的供应将对2026年下半年的定价能力构成风险。对于力积电，需关注其DDR4产能计划，尽管其业务模式包含其他战略合作伙伴关系。我们对主流内存及相关AI受益股的看法保持不变，与此传统内存观点相互独立。

关键风险

我们观点的主要风险在于DDR4产能扩张被延迟或不如所示激进，从而延长供应紧张环境。相反，AI需求的突然放缓可能削弱整个内存板块的情绪，甚至对传统NAND等结构性健康的细分领域产生负面影响。对于传统NAND的看涨观点，一个风险是，如果主要生产商逆转其减产策略，供应短缺可能比预期更快得到缓解。